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FDV303N

发布时间2023-4-26 11:30:00关键词:FDV303N
摘要

FDV303N

品牌

ON

封装

SOT23

批号

21+

数量

30000

制造商

ON Semiconductor

产品种类

MOSFET

RoHS

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

SOT-23-3

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Id-连续漏极电流

680 mA

Rds On-漏源导通电阻

450 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

8 V

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

350 mW

配置

Single

通道模式

Enhancement

高度

1.2 mm

长度

2.9 mm

系列

FDV303N

晶体管类型

1 N-Channel

宽度

1.3 mm

正向跨导 - 最小值

1.45 S

下降时间

8.5 ns

上升时间

8.5 ns

典型关闭延迟时间

17 ns

典型接通延迟时间

3 ns

零件号别名

FDV303N_NL

单位重量

8 mg

可售卖地

全国

型号

FDV303N

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