品牌
ST/意法半导体
封装
10RF-Formed-4
批号
22+
数量
2789
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.3 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57060S-E
宽度
9.4 mm
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
可售卖地
全国
型号
PD57060-E
